Bueno, pues como siempre pasa en la prensa generalizada, se tienta a hacer más publicidad del dato más espectacular, que explicar la noticia con suficiente información, lo que hace que la noticia al final sea otra.
Aquí os dejo un enlace a la noticia original del gabinete de prensa de IBM, donde amplían mucho más la noticia, de donde se puede destacar:
-El chip fué criogenizado a 4.5 kelvins (4.5 grados centígrados por encima del cero absoluto).
-Las simulaciones realizadas indican que es posible conseguir velocidades de 1THz (1000GHz) a temperatura ambiente (estos chips han funcionado a Tª ambiente cerca de 350GHz, lo que sigue siendo impresionante).
-La tecnología no es nueva. Se basa en un refinamiento de la tecnología ya utilizada desde hace tiempo (explotación en masa desde 1998) en la fabricación de semiconductores de SiGe, lo que el proceso de fabricación en masa de estos dispositivos se puede llevar a cabo en instalaciones ya preparadas para esta tecnología.
-Declaración de uno de los investigadores: "Por primera vez, Georgia Tech e IBM han demostrado que velocidades de medio billón de ciclos se pueden conseguir con tecnología comercial basada en el silicio, usando obleas grandes y con técnicas de fabricación de bajo coste".
-Hasta ahora, rendimientos similares se han conseguido con otros materiales de coste mucho más elevado, lo que hace viable esta tecnología en un gran abanico de posibilidades, sobre todo en aquellas que tiene gran masificación de salida.
En resumen: Los chips de SiGe de ultra alta velocidad de cuarta generación son el resultado de la evolución de una tecnología de bajo coste, que hará posible el mercado de dispositivos mucho más rápidos que los actuales.
Ahora una nota mía: El germanio se ha venido utilizando en semiconductores desde que estos se inventaron. La gran ventaja de este material es su alta velocidad, pero presenta muchisimos inconvenientes, como ser muy inestables en sus caracteristicas a temperatura ambiente. Hasta hace poco para tecnologías de altas frecuencias y bajo coste (teléfonos móviles) se ha venido utilizando SI-GaAs, porque este material presentaba muchas ventajas del Germanio sin sus inconvenientes. Al haber utilizado Germanio junto a Silicio en nanoestructuras, según este artículo, se obtienen las ventajas de ambos materiales, lo que hace posible la fabricación de dispositivos mucho más rápido y estables.
Ahora un toque de realismo: Aunque en pocos meses las plantas pudieran estar preparadas para fabricar estos dispositivos, las especulaciones del mercado (no ofrezcas algo mejor mientras sigan pagando muy bien por algo mucho peor) harán que estos avances no se vean repercutidos en años, supongo que para 2010 ya veremos algo. Esta misma línea es la que se menciona en otro artículo sobre un pequeño avance en la fabricacion de semiconductores actuales por parte de intel